特許
J-GLOBAL ID：200903027395318129
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-153019
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332613
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ディボットの発生を抑えながらも、別途の工程を要せず、エッチングダメージが残らないゲート酸化膜の形成領域が得られる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 開口部を形成した酸化シリコン膜2及び窒化シリコン膜3をマスクとしてシリコン基板1をエッチングして素子分離溝6を形成し、素子分離溝6の内面に、縁部が酸化シリコン膜2に連続する熱酸化膜10を形成する。更に、開口部3aの幅を素子分離溝6の幅よりも拡張し、開口部2a、3a内及び素子分離溝6内を含み全面に酸化シリコン膜7を堆積し、酸化シリコン膜7を所定の厚みになるまでエッチングすると共に、窒化シリコン膜3をエッチングで除去して、酸化シリコン膜7の表面における外縁部を酸化シリコン膜2上に突出させ、酸化シリコン膜7を酸化シリコン膜2と共にエッチングして、酸化シリコン膜7、熱酸化膜10及びシリコン基板1の各表面を同じレベルにする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1及び第2の絶縁膜を順次に形成し、前記第1及び第2の絶縁膜に夫々、相互に連通する第1及び第2の開口部を形成し、前記第1及び第2の絶縁膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングし、前記第1及び第2の開口部に対応する素子分離溝を形成し、前記素子分離溝の内面に、縁部が前記第1の絶縁膜に連続する熱酸化膜を形成し、前記第2の開口部の幅を前記素子分離溝の幅よりも拡張し、前記第1及び第2の開口部内並びに前記素子分離溝内を含み全面に酸化シリコン膜を堆積し、前記酸化シリコン膜を所定の厚みになるまでエッチングすると共に、前記第2の絶縁膜をエッチングで除去して、前記酸化シリコン膜の表面における外縁部を前記第1の絶縁膜上に突出した状態で露出させ、前記酸化シリコン膜を前記第1の絶縁膜と共にエッチングして、前記酸化シリコン膜、前記熱酸化膜及び前記半導体基板の各表面を同じレベルにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (9件)：
5F032AA34
, 5F032AA44
, 5F032AA45
, 5F032AA77
, 5F032DA23
, 5F032DA24
, 5F032DA25
, 5F032DA33
, 5F032DA53
