特許

J-GLOBAL ID：200903027406035680

光半導体装置及びその製造方法

発明者： 山本 剛之 ,  須藤 久男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-263074
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085064
出願日： 2006年09月27日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】 p型活性層にダメージを与えることなく、素子容量の増大も抑制することができる光半導体素子を提供する。【解決手段】 基板上に、p型半導体からなるp型クラッド層(3)が形成されている。p型クラッド層の上に、p型半導体領域を含む活性層(5)が形成されている。活性層の上に、ノンドープの半導体からなる緩衝層(10)が配置されている。緩衝層の表面の一部の領域上に、n型半導体からなるリッジ状のn型クラッド層(11)が配置されている。n型クラッド層の両側の領域の緩衝層は、n型クラッド層直下の領域の緩衝層よりも薄い。【選択図】 図1-3

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたp型半導体からなるp型クラッド層と、 前記p型クラッド層の上に配置され、p型半導体領域を含む活性層と、 前記活性層の上に配置され、ノンドープの半導体からなる緩衝層と、 前記緩衝層の表面の一部の領域上に配置されたn型半導体からなるリッジ状のn型クラッド層と を有し、前記n型クラッド層の両側の領域の前記緩衝層は、該n型クラッド層直下の領域の該緩衝層よりも薄い光半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/22 ,  H01S 5/50

FI (3件)：

H01S5/22 ,  H01S5/50 610 ,  H01S5/50 630

Fターム (11件)：

5F173AA08 ,  5F173AF09 ,  5F173AG20 ,  5F173AH02 ,  5F173AP09 ,  5F173AP32 ,  5F173AP43 ,  5F173AR65 ,  5F173AR82 ,  5F173AS01 ,  5F173AS10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-303071   出願人：三菱電機株式会社
• 面発光レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-014689   出願人：富士通株式会社
• 半導体レーザ素子及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-293415   出願人：古河電気工業株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-330524   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Temperature independent transmission for 10 Gbps 300m-MMF using lowdriving-current quantum dot laser