特許
J-GLOBAL ID：200903027427351980
半導体素子の研磨平坦化装置及び研磨平坦化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160685
公開番号（公開出願番号）：特開平11-347919
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：
【要約】【解決手段】 第1の部分と第2の部分とを有し、第1の部分は第1の硬度または弾性率である部分であり、第2の部分は前記第1の硬度または弾性率とは異なる第2の硬度または弾性率である部分である研磨パッドを用いて半導体素子を研磨する。【効果】 半導体素子表面の段差部を選択的に研磨でき、良好な平坦性を得ることができるという硬い研磨パッドの効果と、定盤に若干の歪みがあっても、半導体素子面内の研磨量の均一性が確保できるという柔らかいパッドの効果を同時に満たすことができる。
請求項（抜粋）：
定盤と、前記定盤上に支持される研磨パッドと、半導体素子を保持するウエハチャックとを有する半導体素子の研磨平坦化装置に於いて、前記研磨パッドの第1の部分は第1の硬度または弾性率である部分であり、前記研磨パッドの第2の部分は前記第1の硬度または弾性率とは異なる第2の硬度または弾性率である部分であることを特徴とする半導体素子の研磨平坦化装置。
IPC (2件)：
B24B 37/00
, H01L 21/304 622
B24B 37/00 C
, H01L 21/304 622 F
