固体撮像装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-296735
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124439
出願日： 1998年10月19日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】低雑音であり高感度な増幅型固体撮像装置を提供すること。【解決手段】画素内部の埋め込みフォトダイオードが半導体基板表面の凸型構造領域に形成され、あるいは画素内部の転送ゲート構造が半導体基板表面の凹型構造領域に形成されている。この構造により、転送ゲート下のポテンシャルが最大となる領域が、完全空乏化した埋め込みフォトダイオードの最大ポテンシャルが形成される領域と概ね同じ深さに形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数の単位画素を2次元配置してなり、各々の単位画素に、光電変換のためのフォトダイオードと、フォトダイオードで得られた信号電荷を蓄積する蓄積ダイオードと、フォトダイオードで得られた信号電荷を蓄積ダイオードに転送するための転送トランジスタと、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷により変調される増幅トランジスタと、増幅トランジスタからの信号電圧を読み出す信号読み出し部とが設けられた増幅型固体撮像装置であって、前記フォトダイオードは、第1導電型の半導体基板あるいは第1導電型の不純物ウェル構造と、該半導体基板表面近傍の半導体基板内部に形成された第1導電型の反対導電型の第2導電型の不純物領域とにより構成される第1のPN接合と、該半導体基板表面近傍に形成された第1導電型の不純物領域と、前記半導体基板表面付近の半導体基板内部に形成された第2導電型の不純物領域とにより構成される第2のPN接合とにより構成されており、前記単位画素を2次元配置した領域には、半導体基板の表面に画素配列と同じ配列の凹凸形状が形成されており、単位画素を構成する構造のうち少なくとも前記フォトダイオードが半導体表面に凸形状が形成されている半導体基板内部に形成されていることを特徴とする増幅型固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 A

Fターム (20件)：

4M118AA01 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118CA40 , 4M118DA07 , 4M118DB14 , 4M118DD12 , 4M118FA06 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 4M118FA46 , 5C024AA01 , 5C024CA06 , 5C024CA12 , 5C024FA01 , 5C024GA01 , 5C024GA33 , 5C024HA10

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-091263
固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-307443 出願人：株式会社東芝
固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-154402 出願人：株式会社日立製作所

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