半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-203967
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050727
出願日： 1996年08月01日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】キャリア供給層を有する電界効果トランジスタに関し、寄生抵抗を低減し、かつゲートリーク電流を小さく、或いはゲート耐圧を向上させることができるノーマリオフ型の電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】半絶縁性基板21上の一導電型のキャリア供給層22と、キャリア供給層22上に形成された、キャリア供給層22より電子親和力の大きいチャネル層23と、チャネル層23上に形成された、チャネル層23より電子親和力の小さいゲートバリア層24と、ゲートバリア層24上に部分的に形成された反対導電型の閾値制御層25aと、閾値制御層25a上のゲート電極と、閾値制御層25aの両側であって、閾値制御層25aの端部から間隔をおいて、かつバリア層24表面からチャネル層23に達するように形成されたソース/ドレイン領域28a,28bとを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上の一導電型のキャリア供給層と、前記キャリア供給層上に形成された、前記キャリア供給層より電子親和力の大きいチャネル層と、前記チャネル層上に形成された、前記チャネル層より電子親和力の小さいゲートバリア層と、前記ゲートバリア層上に部分的に形成された反対導電型の閾値制御層と、前記閾値制御層上のゲート電極と、前記閾値制御層の両側であって、前記閾値制御層の端部から間隔をおいて、かつ前記ゲートバリア層表面から前記チャネル層に達するように形成されたソース/ドレイン領域と、前記ソース/ドレイン領域上に形成されたソース/ドレイン電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭60-263472
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-003300 出願人：株式会社日立製作所
特開昭62-145779

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