特許

J-GLOBAL ID：200903027525206000

二酸化ケイ素および窒化ケイ素のケミカルメカニカルポリッシングのための組成物

発明者： サラ・ジェイ・レーン ,  チャールズ・ユ
出願人/特許権者： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 津国 肇 ,  束田 幸四郎 ,  齋藤 房幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-058028
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273973
出願日： 2007年03月08日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：

【課題】シャロートレンチ分離のための二酸化ケイ素および窒化ケイ素のケミカルメカニカルポリッシングのための組成物であって、改善された洗浄性能を示すと共に、改善された選択制および可制御性を提供する。【解決手段】半導体ウェーハ上のシリカおよび窒化ケイ素を研磨するために有用な水性組成物であって、カルボン酸ポリマー0.01〜5重量%、砥粒0.02〜6重量%、ポリビニルピロリドン0.01〜10重量%、カチオン化合物0.005〜5重量%、双性イオン化合物重量%、および残部の水を含むものであって、ポリビニルピロリドンの平均分子量が、100g/モル〜1,000,000g/モルである。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ上のシリカおよび窒化ケイ素を研磨するための有用な水性組成物であって、カルボン酸ポリマー0.01〜5重量%、砥粒0.02〜6重量%、ポリビニルピロリドン0.01〜10重量%、カチオン化合物0.005〜5重量%、双性イオン化合物0.005〜5重量%および残部の水を含み、ポリビニルピロリドンが100g/モル〜1,000,000g/モルの平均分子量を有する、組成物。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  C09K 3/14

FI (3件)：

H01L21/304 622D ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 二酸化ケイ素及び窒化ケイ素をケミカルメカニカル研磨するための組成物及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-218642   出願人：ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズシーエムピーホウルディングスインコーポレイテッド
• 層間絶縁体層のケミカルメカニカルポリッシングのための組成物および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-018704   出願人：ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズシーエムピーホウルディングスインコーポレイテッド