特許

J-GLOBAL ID：200903053738233958

層間絶縁体層のケミカルメカニカルポリッシングのための組成物および方法

発明者： サラ・ジェイ・レーン ,  チャールズ・ユ
出願人/特許権者： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 津国 肇 ,  束田 幸四郎 ,  齋藤 房幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-018704
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227910
出願日： 2007年01月30日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】BPSGの除去速度は、容易に制御されない。向上した平坦化効率のみならず、向上された除去速度および選択性を有する、ILDプロセスでシリカおよびBPSGを研磨するための組成物および方法を提供する。【解決手段】本発明は、カルボン酸ポリマー0.01〜5重量%、研磨剤0.02〜6重量%、ポリビニルピロリドン0.01〜10重量%、カチオン化合物0〜5重量%、0〜5重量%双性イオン化合物および残余の水を含み、ポリビニルピロリドンが100g/mol〜1,000,000g/molの平均分子量を有する、半導体ウェーハ上のシリカおよびホウ素-リン酸塩-ケイ酸塩-ガラスの研磨に有用な水性組成物である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

カルボン酸ポリマー0.01〜5重量%、研磨剤0.02〜6重量%、ポリビニルピロリドン0.01〜10重量%、カチオン化合物0〜5重量%、双性イオン化合物0〜5重量%および残余の水を含み、ポリビニルピロリドンが100g/mol〜1,000,000g/molの平均分子量を有する、半導体ウェーハ上のシリカおよびホウ素-リン酸塩-ケイ酸塩-ガラスの研磨に有用な水性組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058CB03 ,  3C058CB04 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 研磨剤、研磨方法及び電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-368636   出願人：日立化成工業株式会社
• シリカ及び窒化ケイ素のケミカルメカニカルポリッシングのための組成物及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-052501   出願人：ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズシーエムピーホウルディングスインコーポレイテッド
• プレーナ化用絶縁層の化学-機械的研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-235454   出願人：マイクロン・セミコンダクター・インコーポレーテッド
• 半導体絶縁膜用CMP研磨剤及び基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-153613   出願人：日立化成工業株式会社
• CMP研磨剤及び基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-148537   出願人：日立化成工業株式会社
• 二酸化ケイ素及び窒化ケイ素をケミカルメカニカル研磨するための組成物及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-218642   出願人：ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズシーエムピーホウルディングスインコーポレイテッド