半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-386033
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190550
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】本発明は柱状電極を実装端子とする半導体装置の製造方法に関し、製造工程の簡単化を図ると共にマイグレーション耐性を向上することを課題とする。【解決手段】ウエハー41に形成された電極パッド42と電気的に接続し、この電極パッド42からウエハー41上に延出する再配線55を形成する成工程と、再配線55と接続する柱状端子54を形成する工程と、柱状端子54の形成位置を除きウエハー41を覆うよう封止樹脂48を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、柱状端子54を無電解メッキ法により形成する。

請求項（抜粋）：

基板に形成された電極パッドと電気的に接続し、該電極パッドから前記基板上に延出した配線を形成する配線形成工程と、前記配線と接続する柱状端子を形成する柱状端子形成工程と、前記柱状端子の形成位置を除き、前記基板を覆うよう封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記柱状端子形成工程において、前記柱状端子を無電解メッキ法により形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 23/12 501 , H01L 21/56 , H01L 21/3205 , H01L 21/60

FI (5件)：

H01L 23/12 501 P , H01L 21/56 R , H01L 21/88 T , H01L 21/92 602 F , H01L 21/92 604 D

Fターム (15件)：

5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033RR06 , 5F033RR22 , 5F033VV07 , 5F033XX31 , 5F033XX33 , 5F061AA01 , 5F061BA07 , 5F061CA10 , 5F061CB13

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-107850 出願人：ローム株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-281393 出願人：株式会社アイ・イー・ピー・テクノロジーズ, デクスター株式会社

前のページに戻る