半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鹿嶋英實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-281393
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093945
出願日： 2000年09月18日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】ウェハレベルCSP構造において、ウェハの反りを低減させて歩留まりを向上させることができる半導体装置およびその製造方法を実現する。【解決手段】絶縁膜4、封止膜7あるいは層間絶縁膜10を弾性率が20から200Kg/mm2の樹脂により形成することによって、従来問題となっていたウェハの反りを大幅に低減させて、製造上の歩留まりを向上させる。この低弾性率を実現する樹脂として液状ビスマレイミド樹脂を硬化させて形成した樹脂を用いる。これにより形成した樹脂は、低弾性率、且つ、高耐熱性および超疎水性の特性を有しているため、信頼性を大きく向上させることもできる。

請求項（抜粋）：

複数の接続パッドを備える半導体基板と、前記複数の接続パッドを除く、前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、前記複数の接続パッドに接続され、前記半導体基板上に設けられた複数の突起電極と、該複数の突起電極を除く前記半導体基板上面ほぼ全体に設けられた封止膜とを備えた半導体装置において、前記絶縁膜および封止膜のいずれか一方もしくは両方を、弾性率が20から200Kg/mm2の樹脂にて形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 501 , H01L 23/12 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 23/12 501 P , H01L 23/12 501 C , H01L 23/30 R

Fターム (10件)：

4M109AA02 , 4M109BA05 , 4M109CA05 , 4M109CA12 , 4M109EA07 , 4M109EB13 , 4M109EB14 , 4M109EC04 , 4M109ED03 , 4M109EE02

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-364238 出願人：三洋電機株式会社
特開平1-209746
半導体封止用熱硬化性樹脂組成物、それを用いた半導体装置およびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-184688 出願人：株式会社日立製作所

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