特許
J-GLOBAL ID：200903027578596357

薄膜系太陽電池の製造方法

発明者：
岡本 圭史

岡本 圭史 について

, 
吉見 雅士

吉見 雅士 について


出願人/特許権者：
鐘淵化学工業株式会社

鐘淵化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-316807
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135838
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 高性能の薄膜太陽電池の光電変換効率を維持しつつ低コストでその製造を可能ならしめる。【解決手段】 薄膜系太陽電池の製造方法において、その太陽電池は基板上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニット10を含み、このユニット10はプラズマCVD法によって順次積層された1導電型半導体層3と結晶質シリコン系光電変換層4と逆導電型半導体層5を含むものであり、その光電変換層4をプラズマCVD法で堆積する条件として、プラズマ反応室内に導入されるガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、その水素ガスの純度は99.9999%以上で99.99999%未満であり、反応室内の圧力が400Pa以上に設定されていてシラン系ガスの分圧に対して水素ガスの分圧が50倍以上であることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
薄膜系太陽電池の製造方法であって、前記太陽電池は基板上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニットを含み、この光電変換ユニットはプラズマCVD法によって順次積層された1導電型半導体層と、結晶質シリコン系光電変換層と、逆導電型半導体層とを含むものであり、前記光電変換層を前記プラズマCVD法で堆積する条件として、プラズマ反応室内に導入されるガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、その水素ガスの純度は99.9999%以上で99.99999%未満であり、前記反応室内の圧力は400Pa以上に設定されていて前記シラン系ガスの分圧に対して前記水素ガスの分圧が50倍以上であることを特徴とする薄膜系太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 31/04 X
Fターム (18件)：
5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB08 ,  5F045CA13 ,  5F045DA65 ,  5F045EE12 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17
引用特許：
審査官引用 (3件)

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