半導体デバイスの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺正康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-300065
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144954
出願日： 1996年11月12日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】オフアングルをもたないシリコン基板を用いても容易に基板面と45°の角度をなす反射面を形成できる半導体デバイスの製造方法を実現する。【解決手段】 (1)基板に凹部を形成し、この凹部の側面に光の反射面を形成し、凹部内に配置した発光素子の出射光を前記側面で反射して基板の上方に取り出す半導体デバイスを作成する半導体デバイスの製造方法において、<100>方向をオリエンテーションフラット方向とし(100)面を基板面とするシリコン基板に対して、水酸化カリウムにイソプロピルアルコールを加えた溶液で異方性エッチングを行い、基板面に対して45°の角度をなす(110)面を側面に露呈した凹部を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。(2)<110>方向をオリエンテーションフラット方向とし(100)面を基板面とするシリコン基板を用い、(1)の発明と同様な構成をとる。(3)異方性エッチングはエチレン・ジアミン・プロカテコールを用いて行う。

請求項（抜粋）：

基板に凹部を形成し、この凹部の側面に光の反射面を形成し、凹部内に配置した発光素子の出射光を前記側面で反射して基板の上方に取り出す半導体デバイスを作成する半導体デバイスの製造方法において、<100>方向をオリエンテーションフラット方向とし(100)面を基板面とするシリコン基板に対して、水酸化カリウムにイソプロピルアルコールを加えた溶液で異方性エッチングを行い、基板面に対して45°の角度をなす(110)面を側面に露呈した凹部を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 31/12 , H01L 21/306 , H01L 27/14 , H01L 27/15

FI (5件)：

H01L 31/12 E , H01L 27/15 C , H01L 27/15 B , H01L 21/306 B , H01L 27/14 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-133213 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭62-211980
特開昭62-211980

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