半導体装置のトレンチ素子分離方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-127713
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012676
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】トレンチ素子分離方法を提供する。【解決手段】半導体基板上にパッド酸化膜を形成する。このパッド酸化膜上に、非活性領域を限定するための蝕刻マスク層パターンと蝕刻マスク層下部にアンダーカットされた可酸化層パターンを形成する。また半導体基板の非活性領域にトレンチを形成し、トレンチの内壁及び可酸化層パターンの側壁に酸化膜を形成する。次に、トレンチを絶縁物質で埋込んだ後平坦化し、蝕刻マスク層パターン、可酸化層パターン及びパッド酸化膜を除去する。これにより、後続する色々な酸化膜蝕刻工程でトレンチエッジ部位の活性領域が露出されることが防止される。

請求項（抜粋）：

(a) 半導体基板上にパッド酸化膜を形成する段階と、(b) 前記パッド酸化膜上に、非活性領域を限定するための蝕刻マスク層パターンと前記蝕刻マスク層下部にアンダーカットされた可酸化層パターンを形成する段階と、(c) 前記半導体基板の非活性領域にトレンチを形成する段階と、(d) 前記トレンチの内壁及び可酸化層パターンの側壁に酸化膜を形成する段階と、(e) 前記トレンチを絶縁物質で埋込んだ後平坦化する段階と、(f) 前記蝕刻マスク層パターン、可酸化層パターン及びパッド酸化膜を除去する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-333195 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-071567 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-177804 出願人：富士通株式会社

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