特許
J-GLOBAL ID：200903096308466003
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071567
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254638
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 高集積化を可能にするとともに、トレンチの角部の影響を受けない素子分離構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、半導体基板表面に設けた溝を埋め込んで形成した素子分離領域と、該素子分離領域によって電気的に分離された素子形成領域とを備えた半導体装置において、前記素子分離領域を埋め込んでいる物質は、前記半導体基板表面に設けた溝の上端面より突出して形成されていると共に、前記素子分離領域に接する半導体基板の上方端部の上部に形成する絶縁膜の膜厚を、前記素子領域に形成するゲート酸化膜の膜厚より厚くしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に設けた溝を埋め込んで形成した素子分離領域と、該素子分離領域によって電気的に分離された素子形成領域とを備えた半導体装置において、前記素子分離領域を埋め込んでいる物質は、前記半導体基板表面に設けた溝の上端面より突出して形成されていると共に、前記素子分離領域に接する半導体基板の上方端部の上部に形成する絶縁膜の膜厚を、前記素子領域に形成するゲート酸化膜の膜厚より厚くしたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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