特許

J-GLOBAL ID：200903027658103408

パターン形成方法

発明者： 新山 広美
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-271299
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100710
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】露光間で発生する酸の拡散あるいは失活を防止して解像性と寸法制御性よく、かつスループットの高いパターン形成方法を提供する。【解決手段】荷電ビーム露光によりレジストにファインパターンを形成し(21)、次いでレジストに加熱処理を施し(22)、次いでレジストに光露光によりラフパターンを形成し(23)、次いでレジストに再び加熱処理を施し(24)、最後にラフパターンとファインパターンとが形成されたレジストを現像する(25)。

請求項（抜粋）：

荷電ビーム露光によりレジストにファインパターンを形成する第1の工程と、前記第1の工程の後に前記レジストを加熱する第2の工程と、前記第2の工程の後に前記レジストに光露光によりラフパターンを形成する第3の工程と、前記第3の工程の後に前記レジストを加熱する第4の工程と、前記第4の工程の後に前記ラフパターンと前記ファインパターンとが形成された前記レジストを現像する第5の工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/38 511

FI (5件)：

H01L 21/30 502 A ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 514 E ,  H01L 21/30 541 Z

Fターム (24件)：

2H096AA25 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA06 ,  2H096FA01 ,  2H097AA13 ,  2H097CA12 ,  2H097CA13 ,  2H097CA16 ,  2H097HB03 ,  2H097JA03 ,  2H097LA10 ,  5F046AA02 ,  5F046AA09 ,  5F046AA17 ,  5F046CA04 ,  5F046CA08 ,  5F046JA21 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18 ,  5F056AA31 ,  5F056DA04 ,  5F056DA07 ,  5F056DA22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• レジスト材料およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-065814   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-138426   出願人：株式会社日立製作所