特許

J-GLOBAL ID：200903094081736499

半導体装置の製造方法

発明者： 山本 治朗 ,  吉村 俊之 ,  村井 二三夫 ,  寺澤 恒男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-138426
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329939
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】化学増幅系レジストを用いたリソグラフィ工程を高い寸法制御性と高い処理速度で行う半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板上に、化学増幅系のレジスト層102を形成し、レジスト層102の第1のパターン領域に第1のエネルギー線103を照射し、第1の熱処理を行って第1のレジスト反応部106とし、さらに第2のパターン領域に第2のエネルギー線108を照射し、必要ならばさらに第2の熱処理を行って第2のレジスト反応部110とし、現像する工程を有する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、化学増幅系レジストの塗膜を形成する工程と、上記塗膜の第1のパターン領域に第1のエネルギー線を照射する工程と、第1の熱処理工程と、上記塗膜の第2のパターン領域に第2のエネルギー線を照射する工程と、現像工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521

FI (8件)：

H01L 21/30 502 A ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 541 M ,  H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/30 570

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法及びこの方法を用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-106986   出願人：株式会社東芝
• 特公昭63-009655
  
• 特開平4-062914
  
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-196074   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-196074   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法及びこの方法を用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-106986   出願人：株式会社東芝
• 特公昭63-009655
  
• 特開平4-062914