特許

J-GLOBAL ID：200903027669378182

残フォトレジストの除去処理方法

発明者： 岩根 和良
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-364594
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163207
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造工程における残フォトレジストの除去処理において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置でかつ、少量の処理ガスで処理の可能な放電プラズマを用いた処理方法の提供。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面を固体誘電体で被覆し、当該一対の電極間に1〜50体積%の酸素を含有する処理ガスを導入して電界を印加することにより得られるグロー放電プラズマを被処理体に接触させることを特徴とする半導体製造工程における残フォトレジストの除去処理方法。

請求項（抜粋）：

大気圧近傍の圧力下、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面を固体誘電体で被覆し、当該一対の電極間に1〜50体積%の酸素を含有する処理ガスを導入して電界を印加することにより得られるグロー放電プラズマを被処理体に接触させることを特徴とする半導体製造工程における残フォトレジストの除去処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/26

FI (2件)：

H05H 1/26 ,  H01L 21/302 H

Fターム (11件)：

5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BD01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB26

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ウエハ及び基板の処理装置及び処理方法、ウエハ及び基板の移載装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-164526   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 回路基板のアッシング方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-346860   出願人：積水化学工業株式会社, 株式会社ケミトロニクス