特許
J-GLOBAL ID：200903027675958530

メモリ装置

発明者：
窪田 通孝

窪田 通孝 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292524
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134313
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】 用途に応じて信頼性の程度を選択可能とする。【解決手段】 「大容量・通常の信頼性」のモードの場合は、3つのセルアレイ1a,1b,1cの総容量をメモリ容量とし、各セルアレイ1a,1b,1cに対して順にデータの書込み/読出しを行うことによって1つのデータに対して1つのメモリ単位を割り当てる一方、「小容量・高信頼性」のモードの場合は、セルアレイ1a,1b,1cに対して同一のデータの書込み/読出しを行うことによって1つのデータに対して3つのメモリ単位を割り当てるとともに、バッファ回路14の出力バッファ部16内の多数決回路を用いて3つのメモリ単位で多数決を採ることによって誤り訂正機能を持たせる。
請求項（抜粋）：
データの書き換えが可能なメモリ装置であって、データの多重度を切り換え、誤り訂正の度合い又はデータの信頼度を変更可能な多重度切換手段を備えたことを特徴とするメモリ装置。
IPC (3件)：
G06F 12/16 310 ,  G06F 3/06 304 ,  G11C 16/06
FI (3件)：
G06F 12/16 310 J ,  G06F 3/06 304 Z ,  G11C 17/00 309 F
引用特許：
審査官引用 (4件)
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