特許
J-GLOBAL ID：200903027676273922
パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-016577
公開番号（公開出願番号）：特開2009-104178
出願日： 2009年01月28日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：
【課題】化学的シュリンク法により得られるレジストパターンの形状を良好にする。【解決手段】基板101上にレジスト膜102を形成し、形成したレジスト膜102に露光光103を選択的に照射してパターン露光を行なう。パターン露光を行なったレジスト膜102を現像して第1レジストパターン102bを形成し、続いて、基板101の上に第1レジストパターン102bを含む全面にわたって、レジストの構成材と架橋する架橋剤を含む水溶性膜105を形成する。続いて、加熱により水溶性膜105及び第1レジストパターン102bの側面上で接する部分同士を架橋反応させた後、アルカリ性水溶液106を用いて水溶性膜105の第1レジストパターン102bとの未反応部分を除去することにより、第1レジストパターン102bからその側面上に水溶性膜105が残存してなる第2レジストパターン107を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なうことにより、第1レジストパターンを形成する工程と、
前記基板の上に前記第1レジストパターンを含む全面にわたって、前記第1レジストパターンを構成する材料と架橋する架橋剤及び脂環式化合物を含む水溶性膜を形成する工程と、
前記水溶性膜を加熱することにより、前記水溶性膜及び第1レジストパターンにおける該第1レジストパターンの側面上で接する部分同士を架橋反応させる工程と、
前記水溶性膜における前記第1レジストパターンとの未反応部分を液体により除去することにより、前記第1レジストパターンからその側面上に前記水溶性膜が残存してなる第2レジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/40 511
, H01L21/30 570
2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096EA02
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096EA06
, 2H096EA07
, 2H096EA23
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 2H096HA05
, 2H096JA04
, 5F046LA18
