特許
J-GLOBAL ID：200903027714169913
スピントルクを用いた不揮発性磁気メモリセルおよびこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
, 佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-351788
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116923
出願日： 2003年10月10日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 不揮発性磁気メモリにおいて、スピントルク磁化反転機能を持つ超低消費電力な高集積メモリセルおよびそれを用いたランダムアクセスメモリを提供する。 【解決手段】 C-MOSFET上にスピントルク磁化反転層とトンネル型磁気抵抗効果膜を備えることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
自由層と絶縁障壁層と固定層とを備えるトンネル型磁気抵抗効果膜と、前記自由層の磁化情報の書き込みと読み出しを行うためのワード線とビット線とを備えた磁気メモリセルにおいて、
前記自由層の磁化方向をスピントルクにより回転させるためのスピントルク磁化反転層が前記トンネル型磁気抵抗効果膜に隣接して形成され、
前記トンネル型磁気抵抗効果膜は前記スピントルク磁化反転層を介して、ドレイン電極、ソース電極、ゲート電極、n型半導体、およびp型半導体から構成されているMOSFETのドレイン電極と電気的に接続していることを特徴とする不揮発性磁気メモリセル。
IPC (3件)：
H01L27/105
, G11C11/15
, H01L43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA02
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
