特許
J-GLOBAL ID：200903067002840203
磁気半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-004395
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208682
出願日： 2001年01月12日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【課題】従来のトンネル磁気抵抗を利用した、所謂MRAMのメモリセルは、書き込みワード線をデータ線の下方に形成していたために、以下のような問題点があった。書き込みワード線の間をぬって自己整合コンタクト開口を行う必要が生じるなど、プロセスが困難になるということ、またはレイアウトの制約から、書き込みワード線が平面的に磁気抵抗素子と十分にオーバーラップすることが困難なため、データ書き込みが不安定になるということである。【解決手段】上記課題を解決すべく、本発明では書き込みワード線をビット線の上方に形成するMRAMメモリセル構造及びその製造方法を提案する。【効果】本発明によれば、メモリセルプラグ形成時のプロセスが従来に比べ容易になり、書き込みワード線を上部に形成することにより書き込みワード線からの磁場が磁気抵抗素子に効果的に作用するようなレイアウトととし、安定した書き込みを行う。
請求項（抜粋）：
互いに平行して配置された第一及び第二のワード線と、絶縁層を介して前記第一及び第二のワード線に交差するデータ線と、前記第一及び第二のワード線と前記データ線の交点に設けられた複数のメモリセルを有する半導体記憶装置において、前記データ線が、前記第一及び第二のワード線の間に延在して存在し、前記メモリセルは、磁性導電体と絶縁体の積層膜を有していることを特徴とする、半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083AD24
, 5F083AD48
, 5F083AD49
, 5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA21
, 5F083JA39
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083PR39
, 5F083PR40
