特許
J-GLOBAL ID：200903061622494927
マグネチックラムおよびその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-051810
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329846
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 セル構造及び製造工程を単純化できるマグネチックラム及びその形成方法を提供する。【解決手段】 本発明は垂直構造のトランジスタを有するMRAM及びその形成方法に関し、特に、SRAMより速い速度、DRAMのような集積度、そしてフラッシュメモリのような非揮発性メモリの特性を有するメモリ素子において、垂直構造のトランジスタと、トランジスタが備えられる第1ワードライン113と、トランジスタに接続されるコンタクトライン125と、コンタクトラインに積層されるMTJセル200と、MTJセルに積層されるビットライン137と、ビットライン上部の前記MTJセルの上側に積層される第2ワードライン141で構成されているマグネチックラムを提供し、それに伴う半導体素子の高集積化、ショートチャンネル効果特性の向上、抵抗制御度の向上、及び工程単純化を可能にする技術である。
請求項（抜粋）：
垂直構造のトランジスタと、前記垂直構造のトランジスタの側壁に備えられるゲート電極に連結されたリードラインと、前記垂直構造のトランジスタが有するドレイン接合領域上に積層されるMTJセルと、前記MTJセルの上側に積層されるライトラインとが備えられていることを特徴とするマグネチックラム。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA27
, 5F083KA01
, 5F083PR09
