半導体基板の配線溝メッキ方法およびメッキ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-040152
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238704
出願日： 1998年02月23日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】ウエハの配線溝内の気体を完全に排出してメッキ処理を行い得る配線溝メッキ方法を提供する。【解決手段】ウエハ1に形成された配線溝にメッキ処理により金属膜を形成する。ウエハ1は、配線溝を有するプロセス処理面1a上側に向け、配線溝の開口部が上に向くようにメッキ処理槽2内に収容される。メッキ処理槽2には、ウエハ1の上方にアノード電極をなる銅16を収容したアノードバスケット14が配設されている。ウエハ1は回転台3上に載置され、回転台3を回転させた状態でメッキ液供給管10からメッキ液を内槽7内に噴出させウエハ1に電解銅メッキ処理を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された配線溝にメッキ処理により金属膜を形成する半導体基板の配線溝メッキ方法であって、前記配線溝の開口部を上側に向けた状態でメッキ処理を行うことを特徴とする半導体基板の配線溝メッキ方法。

IPC (6件)：

H01L 21/288 , C25D 7/12 , C25D 17/00 , C25D 21/10 302 , H01L 21/02 , H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 21/288 E , C25D 7/12 , C25D 17/00 C , C25D 21/10 302 , H01L 21/02 Z , H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (10件)

特表平4-507326
特開平2-129393
特開平1-255684

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