特許

J-GLOBAL ID：200903027729913457

多結晶シリコンの製造方法

発明者： ケンディグ、ジェイムズ・エドワード ,  ランディス、デイヴィッド・ラッセル ,  マックィストン、トッド・マイケル ,  ゼイラー、マイケル・マシュー
出願人/特許権者： ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション
代理人 (5件)： 曾我 道照 ,  曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-503550
公開番号（公開出願番号）：特表2004-532786
出願日： 2002年05月23日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

(A)トリクロロシランを水素と反応させることにより、シリコンと、テトラクロロシラン及び式HnCl6-nSi2(式中、nは0から6までの値)で表されるジシランを含む流出混合物とを生成させる工程と、(B)約600°C〜1200°Cの範囲の温度で流出混合物及び水素を反応器に同時供給して、テトラクロロシランの水素化及びジシランからモノシランへの転化をもたらす工程とを含む多結晶シリコンの製造方法。

請求項（抜粋）：

(A)トリクロロシランを水素と反応させることにより、シリコンと、テトラクロロシラン及び式HnCl6-nSi2(式中、nは0から6までの値)で表されるジシランを含む流出混合物とを生成させる工程と、 (B)約600°C〜1200°Cの範囲の温度で前記流出混合物及び水素を反応器に同時供給することにより、テトラクロロシランからトリクロロシランへの水素化及びジシランからモノシランへの転化をもたらす工程と を含む多結晶シリコンの製造方法。

IPC (3件)：

C01B33/03 ,  C01B33/04 ,  C01B33/107

FI (3件)：

C01B33/03 ,  C01B33/04 ,  C01B33/107 Z

Fターム (11件)：

4G072AA01 ,  4G072AA06 ,  4G072AA14 ,  4G072BB12 ,  4G072HH03 ,  4G072HH08 ,  4G072HH09 ,  4G072JJ01 ,  4G072MM21 ,  4G072NN13 ,  4G072RR04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-188414
  
• 特開平1-188414
  
• シランを含む副産液体流から微粒ケイ素の分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-106661   出願人：ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション
• 塩化水素の減少した混合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-008234   出願人：株式会社トクヤマ