特許
J-GLOBAL ID：200903027739569401

電子デバイス冷却システムを製造する方法

発明者：
ケビン・マシュー・ドゥロチャー

ケビン・マシュー・ドゥロチャー について

, 
ステイシー・ジョイ・グッドウィン

ステイシー・ジョイ・グッドウィン について

, 
アーネスト・ウェイン・バルチ

アーネスト・ウェイン・バルチ について

, 
クリストファー・ジェームズ・カプスタ

クリストファー・ジェームズ・カプスタ について


出願人/特許権者：
ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ について


代理人 (4件)： 松本 研一 ,  小倉 博 ,  黒川 俊久 ,  荒川 聡志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-333402
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165896
出願日： 2006年12月11日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】電子デバイス冷却システムを製造する方法を提供する。【解決手段】本方法は、基板(12)の内面上に伝導層を形成する段階と、伝導層を覆って犠牲層(36)を設ける段階とを含む。本方法はまた、犠牲層(36)内に複数のチャネルを形成する段階と、伝導性材料を含むめっき材料で複数のチャネルを実質的に満たすように犠牲層をめっきする段階とを含む。本方法はさらに、犠牲層(36)をエッチングして、該犠牲層(36)がエッチングされた部位であるマイクロチャネルによって分離された状態で伝導性材料が残存した部位であるフィンを有する伝導性構造を形成する段階を含む。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板(12)の内面上に伝導層を形成する段階と、 前記伝導層を覆って犠牲層(36)を設ける段階と 前記犠牲層(36)内に複数のチャネルを形成する段階と、 伝導性材料を含むめっき材料で前記複数のチャネルを実質的に満たすように前記犠牲層(36)をめっきする段階と、 前記犠牲層(36)をエッチングして、該犠牲層がエッチングされた部位であるマイクロチャネルによって分離された状態で前記伝導性材料が残存した部位であるフィンを有する伝導性構造を形成する段階と、 を含む方法。
IPC (1件)：
H01L 23/473
FI (1件)：
H01L23/46 Z
Fターム (10件)：
5F136BA30 ,  5F136BB04 ,  5F136BC03 ,  5F136CB07 ,  5F136CB27 ,  5F136DA13 ,  5F136DA41 ,  5F136FA03 ,  5F136GA21 ,  5F136GA40
引用特許：
出願人引用 (8件)
  • 米国特許第5,692,558号公報
  • 米国特許第6,678,182号公報
  • 米国特許第6,529,394号公報
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM