特許
J-GLOBAL ID：200903027766828095

半導体装置およびその製造方法

発明者：
徳重 利洋智

徳重 利洋智 について

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高井 信行

高井 信行 について

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篠木 裕之

篠木 裕之 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-364238
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188357
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】チップサイズパッケージの信頼性を向上させる。【解決手段】 Cuより成る配線層7、メタルポスト8を被覆する絶縁樹脂層Rは、硬化の際に大幅にその膜厚が減少する収縮性の樹脂を採用する。この事で、絶縁樹脂層を研磨してメタルポストの頭出しをする工程が不要となる。しかもメタルポストの頭出しが可能であるため、バリアメタル10、11は、設定通りの膜厚に形成できる。
請求項（抜粋）：
金属材料から成る金属電極パッドに接続され、チップ表面に延在するCuを主材料とする配線層と、前記配線層の一領域に形成されたメタルポストと、前記配線層を含むチップ表面を被覆し、前記メタルポストの周囲の主表面が前記メタルポストの頭部より下端に位置する熱硬化型の樹脂から成る絶縁層と、前記絶縁層表面から露呈する前記メタルポストに形成されたバリア層と、前記メタルポストに固着された半田バンプとを具備する事を特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/60
FI (4件)：
H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 F
Fターム (39件)：
5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN19 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS00 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033VV07 ,  5F033XX01 ,  5F033XX12 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044QQ05
引用特許：
審査官引用 (3件)

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