バイポーラトランジスタおよびその製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189530
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037103
出願日： 1992年07月16日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】寄生容量をなくして素子の高速化を図ることができると共に、マスク数を減らして素子の微細化を容易に達成することができるバイポーラトランジスタが形成される半導体装置およびその製法を提供する。【構成】絶縁基板上にエミッタ領域4a、ベース領域5a、コレクタ領域4bが横方向に形成され、エミッタ、コレクタ領域はSi層でベース領域はSiGe層で形成される。前記Si層はポリ半導体層で形成したのち、レーザアニールなどで単結晶化する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にエミッタ、ベースおよびコレクタの各領域が直接横方向に形成され、前記エミッタ領域およびコレクタ領域は第1導電型のシリコン層からなり、前記ベース領域は第2導電型のゲルマニウム化シリコン層からなるバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/165

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-254470
特開平4-180234
特開平3-244156

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