特許
J-GLOBAL ID:200903027807318650

ダブルバランスドミキサ集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 章夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-214234
公開番号(公開出願番号):特開2001-044767
出願日: 1999年07月28日
公開日(公表日): 2001年02月16日
要約:
【要約】【課題】 IF信号出力の奇数次高調波歪特性を改善するとともに、LO信号の漏れを抑制したダブルバランスドミキサ集積回路を提供する。【解決手段】 RF信号S1が入力されるRF信号増幅回路1と、LO信号S2が入力されて前記RF信号増幅回路1の増幅出力との乗算を行いIF信号を出力する乗算回路2とで構成され、RF信号増幅回路1はMOS型FETQ1,Q2で構成され、前記乗算回路2はバイポーラトランジスタQ3〜Q6で構成される。RF信号増幅回路1を構成するMOS型FETの伝達関数は、入力電圧に対して出力電流は2乗で変化するため、伝達関数が入力電圧に対してex乗で変化するバイポーラトランジスタで構成されている増幅回路と比較すると奇数次高調波歪成分が少ないIF信号出力が得られる。また、乗算回路2を構成するバイポーラトランジスタはMOS型FETに比較して大きな相互コンダクタンスが得られるため、乗算回路の入力信号であるLO信号の信号電圧を小さくすることができ、LO信号のRF信号入力やIF信号出力への漏れ電圧を小さくすることが可能となる。
請求項(抜粋):
RF(高周波)信号が入力されるRF信号増幅回路と、LO(局部発振)信号が入力されて前記RF信号増幅回路の増幅出力との乗算を行いIF(中間周波数)信号を出力する乗算回路とを備えるダブルバランスドミキサ集積回路において、前記RF信号増幅回路はMOS型FETで構成され、前記乗算回路はバイポーラトランジスタで構成されることを特徴とするダブルバランスドミキサ集積回路。
FI (2件):
H03D 7/14 C ,  H03D 7/14 D
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭51-026408
  • 電流モード入力を備えた送信ミキサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-288856   出願人:アルカテル・エヌ・ブイ
  • マルチプライヤ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-284651   出願人:日本電気株式会社
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