特許

J-GLOBAL ID：200903027813955025

プラズマ処理方法

発明者： 清水 隆吉 ,  上土居 勧 ,  萩原 正明 ,  稲沢 剛一郎
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-170657
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036484
出願日： 1998年06月02日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】 有機系低誘電率材料膜層に所定形状のエッチング加工を施すことが可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102内に配置された下部電極106上にウェハWを載置し,ウェハWの温度を-30°C〜30°Cに維持する。処理室102内に流量比(Ar/(N2+H2+Ar))が0.7〜0.8のN2とH2とArの混合ガスから成る処理ガスを導入し,処理室102内の圧力雰囲気を5mTorr〜15mTorrに設定する。コイル154および下部電極106にそれぞれ13.56MHzで1000W〜2500Wと,13.56MHzで500W〜1000Wの高周波電力を印加する。処理室102内で生成されたプラズマにより,ウェハWの有機系低誘電率材料から成る層間絶縁膜層に所定形状のコンタクトホールが形成される。

請求項（抜粋）：

気密な処理室内に処理ガスを導入し,前記処理室内に配置された被処理体に形成された有機系低誘電率材料膜層に対してエッチング処理を施すプラズマ処理方法において,前記処理ガスは,少なくとも窒素原子含有気体と水素原子含有気体との混合ガスであることを特徴とする,プラズマ処理方法。

Fターム (18件)：

5F004AA05 ,  5F004BA13 ,  5F004BA20 ,  5F004BB08 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA15 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-265602   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭60-170238
  
• 特開昭63-114215
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-229403   出願人：ソニー株式会社