特許
J-GLOBAL ID：200903074249970351

プラズマエッチング方法

発明者：
辰巳 哲也

辰巳 哲也 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-265602
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115878
出願日： 1995年10月13日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【目的】 Al系金属配線等の導電材料層上に形成された低誘電率の有機高分子系絶縁膜に接続孔を開口する際の、残渣発生を防止しうるプラズマエッチング方法を提供する。【構成】 有機高分子系絶縁膜2のプラズマエッチングに際し、微量のCl2 ガスを添加したCF系ガスあるいはO2 ガスによりパターニングする。【効果】 下層の導電材料層1が露出した時点で、接続孔5側面にクラウン状残渣が再付着したり、導電材料層1の露出表面に酸化被膜が形成されたりする不都合が回避できる。したがって、コンタクト抵抗の上昇やステップカバレッジの劣化をきたすことがない。
請求項（抜粋）：
導電材料層上の有機高分子系絶縁膜に、前記導電材料層に臨む接続孔を開口するプラズマエッチング方法において、前記有機高分子系絶縁膜を、CF系ガス、および酸素系化学種を発生しうるガスのうちの少なくともいずれか1種のガスと、塩素系化学種を発生しうるガスと、を含むエッチングガスを用いてパターニングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 A
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (10件)
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