特許

J-GLOBAL ID：200903027816748438

ダイヤモンド表面の改質方法とそれに用いるカバー材。

発明者： 寺地 徳之 ,  小泉 聡 ,  小出 康夫
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-186377
公開番号（公開出願番号）：特開2009-023855
出願日： 2007年07月18日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：

【課題】ダイヤモンド表面の任意の領域を、結晶欠陥を生成することなく、室温で、また従来に比しその1/10程度の短時間の処理時間で、改質する方法を提供する。【解決手段】酸素元素含有雰囲気中若しくは真空中、若しくは不活性元素含有雰囲気中に配置したダイヤモンド1の表面に高エネルギー光線7を照射することにより、ダイヤモンド1の表面を酸化して改質する。なお、酸素元素含有雰囲気を構成するのはオゾンあるいは活性酸素であり、不活性元素含有雰囲気を構成するのは窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンあるいはキセノンである。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ダイヤモンドの表面を酸化若しくは清浄化する改質方法であって、ダイヤモンドの表面に高エネルギー光線を照射するにあたり、前記ダイヤモンドを、酸素元素含有雰囲気中若しくは真空中、若しくは不活性元素含有雰囲気中に配置することを特徴とするダイヤモンド表面の改質方法。

IPC (1件)：

C30B 29/04

FI (1件)：

C30B29/04 V

Fターム (12件)：

4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077FE02 ,  4G077FE03 ,  4G077FE16 ,  4G077FG18 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G146AA04 ,  4G146CA09 ,  4G146CB14 ,  4G146CB16

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許公開平5-24990
  
• 水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンドを用いたFETおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-221275   出願人：東京瓦斯株式会社
• 特許公開2003-31109
  
• 特許公開2004-109020