半導体装置の製造方法、トランジスタの製造方法ならびに電気光学装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：上柳雅誉 , 須澤修 , 宮坂一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-152556
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302171
出願日： 2008年06月11日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：

【課題】結晶シリコン層を得る結晶化技術として、能動層の一部にNi,Co,Fe,Pd,Pt,Cu,Auの金属触媒を導入し、加熱処理を施して結晶化を行い、引き続きエキシマレーザ等によりエネルギーを与えることで種結晶を形成し、非晶質シリコン層領域を結晶化するという発明が提案されているが、この技術を用いた場合、種結晶の面配向を制御することができないという課題がある。【解決手段】アルミニウム層102上に非晶質シリコン層103を堆積した後、アニールを行うことで層転換を行わせる。同時に非晶質シリコン層103は(111)配向を有する多結晶シリコン層104に変換される。多結晶シリコン層104をパターニングし種結晶として用いて、積層された非晶質シリコン層105をレーザアニールにより結晶化し、結晶シリコン層12を有する半導体装置108の製造方法を提供することが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

能動面側の表面が、電気的に絶縁性を有する基板の、前記能動面側に触媒層としてのアルミニウムを含む層を形成する工程と、前記触媒層上に、多結晶層前駆体としてシリコン層、ゲルマニウム層、またはシリコンゲルマニウム層を形成する工程と、前記触媒層と、前記多結晶層前駆体とを含む前記基板を熱処理し、前記基板、多結晶層、前記触媒層の順となるよう前記触媒層と前記多結晶層とを層交換させる工程と、前記触媒層を除去する工程と、前記多結晶層を、その一部を残して除去する工程と、前記基板の能動面側に能動層前駆体を形成する工程と、前記能動層前駆体にエネルギーを印加して前記能動層前駆体を再結晶化させることで、能動層を形成する工程と、を含み、前記能動層は、(111)配向または(100)配向に揃えられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/20

FI (3件)：

H01L29/78 627G , H01L29/78 620 , H01L21/20

Fターム (66件)：

5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP23 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110PP36 , 5F110QQ11 , 5F152AA03 , 5F152AA07 , 5F152AA15 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CD05 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD17 , 5F152CD18 , 5F152CD24 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE14 , 5F152CE25 , 5F152CE44 , 5F152DD02 , 5F152EE13 , 5F152EE16 , 5F152FF03 , 5F152FF05 , 5F152FG01 , 5F152FG19 , 5F152FG23 , 5F152FH04 , 5F152FH05

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-143228 出願人：シャープ株式会社
薄膜半導体デバイスの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-117559 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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