特許
J-GLOBAL ID：200903027824280593
基板支持体、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-003961
公開番号（公開出願番号）：特開2007-188967
出願日： 2006年01月11日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：
【課題】加熱処理を伴うことなく被処理基板から基板支持体を分離する。【解決手段】板状の支持基材21と、被処理基板25と接着される上記支持基材21の接着面21aを被覆し酸又はアルカリに対して溶性の金属層22とを備えた基板支持体20を準備する。この基板支持体20を接着層24を介して被処理基板25の一方の面を支持し基板の裏面研削を行う。基板支持体20の被処理基板25からの分離工程では、支持基材21の接着面21aに形成された金属層22を酸又はアルカリ性の溶解液を用いて溶解除去することで、支持基材21を被処理基板25から分離する。接着面21aには溝23が形成されており、溶解液を効率良く接着面21aに浸透させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理基板の一方の面に接着されることで当該被処理基板を支持し、前記被処理基板とともにハンドリングされる基板支持体であって、
板状の支持基材と、
前記被処理基板と接着される前記支持基材の接着面を被覆し酸又はアルカリに対して溶性の金属層とを備えた
ことを特徴とする基板支持体。
IPC (5件)：
H01L 21/683
, H01L 25/18
, H01L 25/07
, H01L 25/065
, H01L 21/304
H01L21/68 N
, H01L25/08 Z
, H01L21/304 631
, H01L21/304 622J
5F031CA02
, 5F031CA13
, 5F031HA02
, 5F031HA59
, 5F031HA80
, 5F031MA22
, 5F031MA35
