特許
J-GLOBAL ID:200903084940964681

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-083947
公開番号(公開出願番号):特開2005-276879
出願日: 2004年03月23日
公開日(公表日): 2005年10月06日
要約:
【課題】アンダーフィル材の流出を確実に防止しようとすると、実装基板の外形サイズが大きくなってしまう。【解決手段】平面視矩形状のチップ実装領域の周囲に電極パッド4が形成されるとともに、チップ実装領域と電極パッド4の形成領域との間にダム5が設けられた実装基板1と、この実装基板5のチップ実装領域にフリップチップ実装された半導体チップ2と、実装基板1と半導体チップ2との間に充填されたアンダーフィル材6とを備える半導体装置の構成として、半導体装置の製造時にアンダーフィル材6が滴下されるチップ実装領域の所定の辺とこれに対応するダム5との間の距離を、チップ実装領域の他の辺とこれに対応するダム5との間の距離よりも長く設定する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
平面視矩形状のチップ実装領域の周囲に電極パッドが形成されるとともに、前記チップ実装領域と前記電極パッドの形成領域との間にダムが設けられた実装基板と、 前記実装基板の前記チップ実装領域にフリップチップ実装された半導体チップと、 前記実装基板と前記半導体チップとの間に充填されたアンダーフィル材とを備え、 前記チップ実装領域の所定の辺と当該所定の辺に対応する前記ダムとの間の距離が、前記チップ実装領域の他の辺と当該他の辺に対応する前記ダムとの間の距離よりも長い ことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L21/56
FI (1件):
H01L21/56 E
Fターム (3件):
5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA06
引用特許:
出願人引用 (8件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-034039   出願人:横河電機株式会社
  • 電子回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-023854   出願人:株式会社村田製作所
  • プリント基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-173453   出願人:株式会社東芝
全件表示
審査官引用 (7件)
  • 電子回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-023854   出願人:株式会社村田製作所
  • プリント基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-173453   出願人:株式会社東芝
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-005793   出願人:シャープ株式会社
全件表示

前のページに戻る