半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法およびその装置ならびにエッチング用回転治具

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-111471
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294764
出願日： 2004年04月05日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】ウェーハ外周部の保護膜エッチング時にノッチを含むウェーハ外周部が損傷せず、ウェーハ外周部の全周でウェーハ半径方向のエッチング幅の均一化が図れる半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング技術を提供する。【解決手段】シリコンウェーハWの外周部の最外周縁と、エッチング回転治具12の環状溝12aの奥壁12bとを非接触状態で保持したまま、ウェーハ外周部のシリコン酸化膜Waをエッチングするので、ノッチ部nを含むウェーハ外周部が損傷しない。しかも、エッチング回転治具12に付着したエッチング液が過剰にウェーハ外周部のシリコン酸化膜Waに供給され難いので、シリコン酸化膜Waのウェーハ半径方向のエッチング幅の均一化が図れる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

外周部に保護膜を有する半導体ウェーハのその保護膜をエッチングする方法であって、略円柱体または略円筒体であるエッチング回転治具の外周面に形成された前記半導体ウェーハの厚さと溝幅が略等しい環状溝に、その環状溝の奥壁との間に常時空隙を有して上記半導体ウェーハの外周部を挿入し、この環状溝にエッチング液を供給しながら、上記エッチング回転治具をその軸線回りに回転させる半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法。

IPC (1件)：

H01L21/306

FI (1件)：

H01L21/306 J

Fターム (2件)：

5F043AA01 , 5F043EE08

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第2952826号公報(第1頁、図1)

審査官引用 (4件)

特開平1-316936
ウエ-ハ端面エッチング方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-279487 出願人：株式会社エンヤシステム
特開平2-130922

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