特許

J-GLOBAL ID：200903027851607049

半導体集積回路

発明者： 加賀野 未来
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-028689
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231893
出願日： 2001年02月05日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 チップそのものを製造し直したり、マスク改定したり、またFIBやレーザーカッターを利用しなくても、電流値、ゲイン、周波数特性を外部から容易に変更できるようにした半導体集積回路を得ることである。【解決手段】 外部からゲート電圧を制御することでNチャネルMOSトランジスタ8をスイッチング動作させたり、導通状態をオン状態からオフ状態の間で連続的に制御し導通抵抗が変化する抵抗素子として機能させることにより、抵抗2と抵抗7とを含む抵抗回路の抵抗値を変化させ、基準定電流発生回路の電流出力Ioutの電流値を外部から容易に制御可能にする。

請求項（抜粋）：

受動抵抗素子を有し、前記受動抵抗素子の抵抗値によって電流値が決定される定電流発生回路を備えた半導体集積回路であって、前記受動抵抗素子へ並列接続され外部からゲート電位が制御されオン状態からオフ状態の間で連続的に導通状態が変化し導通抵抗が変わる抵抗素子として機能するMOSトランジスタを有し、前記MOSトランジスタの前記ゲート電位により前記受動抵抗素子を含む回路の定数を可変し前記定電流発生回路の前記電流値を可変する電流設定部と、前記MOSトランジスタのゲートへ前記ゲート電位を外部から印加するためのゲート電圧印加用端子とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03G 3/10

FI (2件)：

H03G 3/10 B ,  H01L 27/04 G

Fターム (17件)：

5F038AC00 ,  5F038AR00 ,  5F038AV05 ,  5F038AV06 ,  5F038AV13 ,  5F038AZ03 ,  5F038BB10 ,  5F038BE06 ,  5F038DF07 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ20 ,  5J100AA09 ,  5J100BA05 ,  5J100BB07 ,  5J100BC04 ,  5J100CA02 ,  5J100EA02

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 調整回路及びその調整回路の調整方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-318818   出願人：松下電工株式会社
• 特開平4-113672
  
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-147710   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
• 磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-012703   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-113672