特許
J-GLOBAL ID：200903027855104769
MEMSの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-143826
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349416
出願日： 2003年05月21日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】MEMSが形成された半導体基板のダイシングに際して、MEMSの微細構造を確実に保護する。【解決手段】本発明のMEMSの製造方法では、半導体基板の素子面(MEMSが形成されている側の面)に例えば熱剥離型の粘着テープを貼付した後、裏面側から半導体基板を切断する。即ち、素子面は粘着テープにより保護されているので、ダイシングの際に、洗浄水または切断屑が素子面に付着することはない。このため、確実に切断屑が洗い流されるように、充分な量の洗浄水を噴きつけることができる。切断後は、粘着テープの粘着強度を充分に小さくしてから、粘着テープを剥離する。従って、粘着テープの剥離時に、MEMSの微細構造が破損することはない。この結果、ダイシング工程において、洗浄水の量や圧力を小さくせずに、MEMSの微細構造を確実に保護できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の一方の面(以下、素子面という)側に、MEMS(Micro Electro Mechanical System)を形成する素子形成工程と、
前記素子形成工程の後、熱剥離型、電磁波剥離型、及び溶液溶解型のいずれかの粘着テープの粘着面を、前記半導体基板の前記素子面に貼り付ける貼付工程と、
前記貼付工程の後、前記半導体基板の他方の面(以下、裏面という)に切断用ブレードを作用させて、前記半導体基板を切断する切断工程と、
前記切断工程の後、前記粘着テープを剥離する剥離工程と
を有することを特徴とするMEMSの製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/78 Q
, B81C1/00
, H01L21/78 M
, H01L21/78 P
