特許
J-GLOBAL ID：200903027871562122
スピン・バルブ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-198254
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124718
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 結合磁界が小さくかつ安定しているスピン・バルブを提供する。【解決手段】 基板104上に第1の強磁性層105を堆積する。次いで、この第1の強磁性層105の第1の表面109を、酸素リッチの雰囲気にさらす。酸素は第1の表面109に物理吸着される。次いで、酸素分圧を急減させたのち、酸素処理した第1の表面109上に約2nm厚の銅から成るスペーサ層110を堆積する。スペーサ層110の第2の表面111を、酸素で処理する。次いで、酸素分圧を急減させたのち、酸素処理した第2の表面111上に第2の強磁性層112を堆積する。酸素の表面吸着によって、層と層とが相互に混合するのが抑制されるとともに、第1の表面109および第2の表面111の表面粗さが低減する。その結果、スピン・バルブの結合磁界が小さくなる。また、結合磁界は、ハードベーク・アニール時にほぼ安定している。さらに、磁気抵抗変化率も顕著に大きくなる。
請求項（抜粋）：
(a)第1の表面を有する第1の強磁性層と、(b)第2の強磁性層と、(c)前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に配置され、第2の表面を有するスペーサ層とを備え、前記第1の表面および前記第2の表面のうちの少なくとも一方が、対応する層を堆積したのちに酸素で処理されており、前記酸素処理は、引き続く層を堆積する前に止められているスピン・バルブ。
IPC (6件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
2G017AD55
, 2G017AD63
, 5D034BA02
, 5D034BA03
, 5D034CA06
, 5D034DA07
, 5E049AA04
, 5E049BA16
, 5E049DB12
