特許
J-GLOBAL ID：200903078390707864
磁気抵抗効果型複合ヘッドおよびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-335501
公開番号（公開出願番号）：特開平11-175920
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】TMR素子を用いた高密度な磁気記録再生に適した磁気ヘッドを提供する。【解決手段】磁気抵抗効果型複合ヘッドは、スライダ上に順次に積層された第1及び第2の磁気シールドと、この双方の磁気シールドの間に配設された磁気抵抗効果(以下、MRと記す)素子とから成る再生ヘッドを有する。記録ヘッドは、第1の磁気シールド膜を一方の磁極膜と兼用し、この磁極膜の磁気抵抗効果素子と反対側に、絶縁体で挟まれたコイルと第2の磁極とが第1の磁極膜に対して積層される。
請求項（抜粋）：
スライダ上に順次に積層された第1及び第2の磁気シールドと、該双方の磁気シールドの間に配設された磁気抵抗効果素子(以下、MR素子と呼ぶ)とを有する再生ヘッドと、前記第2の磁気シールドを第1の磁極膜とし、該第1の磁極膜と磁気ギャップを挟んで対向する第2の磁極膜を有し、前記再生ヘッドに隣接して配設された記録ヘッドとを備える磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、前記MR素子が、前記第1及び第2の磁気シールドを電極とし該第1及び第2の磁気シールドの面間にほぼ垂直方向に流れる電流によって磁気抵抗効果を発生させる第1の強磁性層及び第2の強磁性層と、該第1及び第2の強磁性層の間に配設されたトンネルバリア層とを有する強磁性トンネル接合磁気抵抗効果膜(以下、TMR膜と記す)から成る中央領域と、前記中央領域を両側から挟み込むように配設され、該中央領域にバイアス磁界を供給する端部領域とから構成されることを特徴とする磁気抵抗効果型複合ヘッド。
引用特許：
前のページに戻る
