特許

J-GLOBAL ID：200903027883206860

レジストパターン形成方法

発明者： 岡野 進 ,  上田 康爾 ,  宮本 英典
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 小山 有 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-197307
公開番号（公開出願番号）：特開平9-043855
出願日： 1995年08月02日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】 レジストパターンの更なる微細化を可能にする。【解決手段】 半導体ウェーハ等の被処理基板に感光性のレジスト液を塗布し、このレジスト液をプリベークし乾燥させてレジスト膜を形成し、このレジスト膜にステッパーで露光を施した後、相対湿度を1〜20%とした条件でポストエクスポージャベーク(PEB)を行い、更に現像液で現像することで、寸法精度、寸法安定性及び断面形状に優れたレジストパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

被処理基板上に化学増幅型レジスト溶液を塗布したのち、乾燥させてレジスト膜を形成し、このレジスト膜に活性線を選択的に照射後、加熱処理を行い、次いで現像処理を施すレジストパターン形成方法において、前記加熱処理が相対湿度1〜20%の条件で行われるとを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 568

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光蝕刻方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-194571   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-369211
  
• 現像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-313465   出願人：三菱電機株式会社