ドーピング処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-031356
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235959
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】大面積基板に適したドーピング処理方法を提供する。【解決手段】イオン流の断面形状を線状とし、イオン流を分離し、分離されたイオン流を異なる電圧で加速し、異なる入射角で基板へ入射させる。

請求項（抜粋）：

線状のイオン流を発生し、前記イオン流を少なくとも2つのイオン流に分離し、前記分離されたイオン流をそれぞれ異なる電圧で加速して、半導体材料に照射するドーピング方法であって、前記分離されたイオン流の少なくとも2つのイオン流を、同じ基板へ異なる角度で入射させることを特徴とするドーピング処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 , H01L 21/265 603 , C23C 14/48 , H01J 37/317 , H01L 21/268

FI (5件)：

H01L 21/265 F , H01L 21/265 603 C , C23C 14/48 Z , H01J 37/317 Z , H01L 21/268 G

引用特許：

審査官引用 (15件)

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