特許

J-GLOBAL ID：200903027928960782

半導体膜の結晶化方法、アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置

発明者： 東 清一郎
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-004360
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199729
出願日： 1996年01月12日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 結晶化度合いの低い半導体膜にレーザアニールを行うことによって、結晶化度合いの高い半導体膜を得ることができる半導体膜の結晶化方法およびアクティブマトリクス基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 アモルファスのシリコン膜30(半導体膜)に対して、初めからいきなり高いエネルギー密度のレーザ光を照射するのではなく、低いエネルギー密度のレーザ光の照射を行う。

請求項（抜粋）：

基板上の半導体膜に対して照射されるレーザ光のエネルギー密度を低い状態、高い状態、および低い状態に変化させてレーザアニールを行うことにより、前記半導体膜を溶融結晶化させることを特徴とする半導体膜の結晶化方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光アニール方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-120363   出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
• 特開昭64-076715
  
• 特開昭64-045162
  
• レーザーアニール方法およびレーザー光の照射方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-037705   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所