半導体装置及び神経インターフェイスシステム

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-310788
公開番号（公開出願番号）：特開2004-141462
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】金(Au)、プラチナ(Pt)又はイリジウム(Ir)などの貴金属を材料とする神経活動電位計測用又は神経刺激用の電極において、電解質が高濃度にある腐食環境下であっても、耐腐食性を保持することのできる構造を有した半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板15と、シリコン基板15に開けられた、神経線維を通すための貫通孔13と、貫通孔13の側面及び/又は周辺に設けられた耐腐食性の金属からなる電極11と、半導体材料又は絶縁体材料と接着性の良い金属からなり電極11と接着した接着層16と、接着層16が露出しないように、電極11の端部及び接着層16を覆う上層絶縁保護膜17及び下層絶縁保護膜18とを有する構造とすることにより、電極11及び接着層16の耐腐食性が向上する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板に開けられた、神経線維を通すための貫通孔と、前記貫通孔の側面及び/又は周辺に設けられた耐腐食性の金属からなる電極と、半導体材料又は絶縁体材料と接着性の良い金属からなり、前記電極と接着した接着層と、前記接着層が露出しないように、前記電極の端部及び前記接着層を覆う絶縁保護膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

A61B5/0408 , A61B5/04 , A61B5/0478 , A61B5/0492

FI (4件)：

A61B5/04 300J , A61B5/04 A , A61B5/04 300W , A61B5/04 300V

引用特許：

審査官引用 (5件)

マイクロ電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-344561 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
マイクロ電極の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-003339 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
神経活動などの計測に用いる超小型の生体電極
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-176883 出願人：松川寛二, 日本ケーブル・システム株式会社

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