特許
J-GLOBAL ID:200903027943846813

スパッタリング装置のための高信頼性戻り電流通路のための装置及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 酒井 一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-524999
公開番号(公開出願番号):特表平11-500185
出願日: 1996年02月05日
公開日(公表日): 1999年01月06日
要約:
【要約】反応スパッタリングシステムのための信頼性の高いグラウンドを確立し、維持するための方法。空間的に拡張された高密度のプラズマを、スパッタリングターゲット(20)を取り巻く広範囲に渡って発生させる。プラズマは、ターゲット(20)からスパッタされた材料が付着しないコーティングマシンの部分に、ターゲット(20)を電気的に接続させる。プラズマは、ターゲット(20)から独立したアプリケータ(26又は27)によって発生される。
請求項(抜粋):
スパッタリング装置であって、該装置は、真空を維持し、スパッタガス及びスパッタされた材料に対して反応性であるガスを受理及び維持することができるチャンバーと、スパッタすべき材料のターゲットと、該ターゲットと前記チャンバーとの間にスパッタリング電圧をかけるための手段と、前記ターゲットからスパッタされた材料によって被覆されるように、前記ターゲットに対して配置される少くとも一つの基板とを有するスパッタリング装置において、ターゲットから、ターゲットから離隔した前記チャンバーの未被覆導電性部分への、プラズマの形態の信頼性の高い電流通路を提供することを含み、前記プラズマは、自由電子の最低密度が1立方センチメートル当たり少くとも1.2×1010であり、前記ターゲットと前記チャンバーの前記未被覆部分との間の空間を満たし、前記プラズマは、ターゲット電圧から独立して操作可能な少くとも一つのプラズマ発生装置によって発生されることを特徴とする、スパッタリング装置。
IPC (3件):
C23C 14/34 ,  C23C 14/54 ,  H05H 1/46
FI (3件):
C23C 14/34 T ,  C23C 14/54 B ,  H05H 1/46 B
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • スパッタ被覆装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-139282   出願人:デポジション・サイエンシイズ・インコーポレイテッド
  • 特開平2-004967
  • 特開昭59-182964
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