特許

J-GLOBAL ID：200903027960039026

荷電粒子ビーム描画装置

発明者： 都築 弘毅
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091655
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284205
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 荷電粒子ビームを用いてパターンを描画する際、散乱電子による試料端面でのチャージアップ現象を防止し、試料高さの変動を測定するための光又はレーザを遮ることなく高精度な描画を可能とする。【解決手段】 描画される試料1は試料ホルダ3にセットされ、試料高さ規制板4によって高さを決定され、パターンを描画される。描画の際、試料1の表面さらには描画装置内部で散乱された荷電粒子を遮るための散乱電子遮蔽板2aを設置する。この際、散乱電子遮蔽板2aの上面の高さが試料面11の高さとほぼ同じかわずか高い位置となるように設置する。その結果、散乱電子遮蔽板2aは試料1の高さ測定用の光源5からの光又はレーザを遮ることがなくなるため、試料1周辺部での描画位置精度を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

パターンが形成された試料を試料ホルダにセットし荷電粒子ビームを試料面に照射してパターン描画を行なう際、発生する散乱電子による描画位置の位置ずれを防止するための散乱電子遮蔽板を前記試料ホルダに設置した荷電粒子ビーム描画装置において、前記散乱電子遮蔽板の上面位置が前記試料面よりわずか高い位置になるかあるいはほぼ同じ位置になるように散乱電子遮蔽板を設置したことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  H01J 37/20 ,  H01J 37/305

FI (6件)：

G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  H01J 37/20 H ,  H01J 37/305 Z ,  H01L 21/30 541 D ,  H01L 21/30 541 L

Fターム (16件)：

2H097BA01 ,  2H097BB03 ,  2H097CA16 ,  2H097EA13 ,  2H097KA28 ,  2H097LA10 ,  5C001AA01 ,  5C001BB07 ,  5C034BB06 ,  5C034BB10 ,  5F056AA01 ,  5F056CC04 ,  5F056EA06 ,  5F056EA14 ,  5F056EA17 ,  5F056EA18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• マスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-154865   出願人：日本電気株式会社
• パターン描画方法及びパターン描画装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-206361   出願人：株式会社東芝