特許
J-GLOBAL ID:200903027963455586

半導体ウェハ封止基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-161919
公開番号(公開出願番号):特開2000-349197
出願日: 1999年06月09日
公開日(公表日): 2000年12月15日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウェハを異物等による汚染から保護し、半導体ウェハの取り扱いが容易な半導体ウェハ封止基板を提供することを目的とする。【解決手段】 複数の半導体素子1’が形成された半導体ウェハ1を2枚のシート状の樹脂膜3の間に挟み込んで半導体ウェハ1に熱圧着することにより、半導体ウェハ封止基板100を形成する。半導体ウェハ1は樹脂層3によって異物による汚染から保護されるとともに、樹脂によって補強されている。これにより、この後の半導体装置の製造工程から、クリーンルーム等の高価な設備や半導体ウェハを搬送するための特殊なキャリアを削減することができる。
請求項(抜粋):
表面に回路パターンが形成された複数の半導体素子が作り込まれた板状の半導体ウェハと前記表面を封止する封止樹脂層を有することを特徴とする半導体ウェハ封止基板。
IPC (3件):
H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (2件):
H01L 23/12 L ,  H01L 23/30 D
Fターム (9件):
4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA05 ,  4M109CA22 ,  4M109DB16 ,  4M109DB17 ,  4M109ED02 ,  4M109ED03 ,  4M109EE01
引用特許:
審査官引用 (2件)

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