特許
J-GLOBAL ID：200903027967998851
不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-319622
公開番号（公開出願番号）：特開2000-149578
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ビット線電圧を書き込みデータに応じて変えて多値並列書き込みを行う場合に、書き込み時間を短縮する。【解決手段】 書き込みデータに応じてビット線電圧を設定し、多値並列書き込みを行うようにした8値のNAND型多値フラッシュメモリにおいて、ワード線にパルス状のワード線電圧を印加して書き込みを行い、この際、書き込み対象のメモリセルに実質的にデータの書き込みがなされる時間に対応する実効的なワード線電圧のパルス幅を書き込みデータに応じて制御する。ワード線に印加するワード線電圧のパルス幅は20μsとし、書き込みデータに応じて設定される実効的なワード線電圧のパルス幅は、書き込みデータが「0xx」(x:0または1)の場合、20μs、また同様に「10x」ならば10μs、「110」ならば2μs、「111」ならば0μsとする。
請求項（抜粋）：
ワード線およびビット線への印加電圧に応じて電荷蓄積部に蓄積された電荷量が変化し、その変化に応じてしきい値電圧が変化し、しきい値電圧に応じた値のデータを記憶するメモリセルを有し、nビット(n≧2)の多値データを並列にかつページ単位でメモリセルに書き込むようにした不揮発性半導体記憶装置であって、書き込み動作時に、ワード線にパルス状のワード線電圧を印加してメモリセルにデータの書き込みを行い、この際、書き込み対象のメモリセルに実質的にデータの書き込みがなされる時間に対応する実効的なワード線電圧のパルス幅を書き込みデータに応じて制御するようにした書き込み制御手段を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 611 E
5B025AA01
, 5B025AC01
, 5B025AD03
, 5B025AD04
