特許
J-GLOBAL ID：200903022786867010

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
田中 智晴

田中 智晴 について

, 
中村 寛

中村 寛 について

, 
竹内 健

竹内 健 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-104652
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031392
出願日： 1998年04月15日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】 “0”データの正確な書き込みと多値データの高速書き込みを図る。【解決手段】 NANDセルユニット内の全てメモリセルに対して消去を実行した後、NANDセルユニット内の全てのメモリセルに対して消去電圧と逆極性の事前書き込み電圧を印加して事前書き込みを行い、過消去状態のメモリセルをなくす。この後、NANDセルユニット内の選択されたメモリセルの制御ゲートに20Vを印加し、選択されたメモリセルの両隣のメモリセルの制御ゲートに0Vを印加し、残りのメモリセルの制御ゲートに11Vを印加して書き込みを行う。書き込みでは、書き込みデータに応じて、メモリセルに印加する書き込み電圧の印加時間を異ならしめる。
請求項（抜粋）：
直列接続された複数のメモリセルから構成されるNANDセルユニットと、前記NANDセルユニット内の全てのメモリセルに対して消去電圧を印加して消去を行う消去手段と、前記消去後に、前記NANDセルユニット内の全てのメモリセルに対して前記消去電圧と逆極性の事前書き込み電圧を印加して事前書き込みを行う事前書き込み手段と、前記事前書き込み後に、前記NANDセルユニット内の選択されたメモリセルに書き込み電圧を印加し、前記選択されたメモリセルの隣のメモリセルに第1の電圧を印加し、残りのメモリセルに第2の電圧を印加して書き込みを行う書き込み手段と、を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/04
FI (3件)：
G11C 17/00 612 D ,  G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 641
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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