特許
J-GLOBAL ID:200903027972373550

表面電荷分布測定方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 樺山 亨 ,  本多 章悟
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-043587
公開番号(公開出願番号):特開2004-251800
出願日: 2003年02月21日
公開日(公表日): 2004年09月09日
要約:
【課題】試料表面の表面電荷分布を消失させることなく、表面電荷分布を精度良く測定する方法および装置を実現する。【解決手段】表面に電荷を有する試料SPに荷電粒子ビームを照射して1次元的もしくは2次元的に走査し、この走査により得られる検出信号により、試料SPの表面電荷分布を測定する方法であって、荷電粒子ビームの照射電流を、試料の表面電荷分布を消失させない大きさに設定して走査を行う。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
表面に電荷を有する試料に荷電粒子ビームを照射して1次元的もしくは2次元的に走査し、この走査により得られる検出信号により、上記試料の表面電荷分布を測定する方法であって、 荷電粒子ビームの照射電流を、試料の表面電荷分布を消失させない大きさに設定して走査を行うことを特徴とする表面電荷分布の測定方法。
IPC (4件):
G01R29/12 ,  G03G5/00 ,  G03G21/00 ,  H01J37/28
FI (5件):
G01R29/12 Z ,  G03G5/00 101 ,  G03G21/00 ,  G03G21/00 350 ,  H01J37/28 B
Fターム (10件):
2H035CA07 ,  2H035CB01 ,  2H035CZ00 ,  2H068EA41 ,  2H134QA02 ,  5C033UU01 ,  5C033UU02 ,  5C033UU03 ,  5C033UU04 ,  5C033UU08
引用特許:
審査官引用 (12件)
  • 特開昭56-036056
  • 特開平3-200100
  • 表面電位センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-263360   出願人:株式会社リコー
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