反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大塚武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-190807
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013280
出願日： 2004年06月29日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】Ru保護膜成膜時やその後の加熱処理等によって多層反射膜の最上層とRu保護膜との拡散層の形成を抑制させ、反射率の低下を防止した反射型マスクブランクス及び反射型マスクを提供する。【解決手段】基板1と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜2と、多層反射膜2上の保護膜6と、バッファー層3と、露光光を吸収する吸収体膜4とを有する反射型マスクブランクス10であって、前記保護膜6は実質的にルテニウムからなり、多層反射膜2の最上層表面は水素終端化処理し、或いは多層反射膜2と保護膜6との間に水素化非晶質膜を形成する。反射型マスク20は、この反射型マスクブランクス10の吸収体膜4に転写パターン4aが形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された該多層反射膜を保護する保護膜と、該保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクスであって、前記保護膜は、実質的にルテニウム(Ru)からなる材料とし、前記多層反射膜の最上層表面が水素終端化処理されていることを特徴とする反射型マスクブランクス。

IPC (6件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16 , G03F 7/20 , G21K 1/06 , G21K 5/00 , G21K 5/02

FI (8件)：

H01L21/30 531M , G03F1/16 A , G03F7/20 503 , G21K1/06 B , G21K1/06 C , G21K1/06 D , G21K5/00 Z , G21K5/02 X

Fターム (6件)：

2H095BA10 , 2H095BB29 , 2H097CA15 , 2H097LA10 , 5F046GD10 , 5F046GD16

引用特許：

出願人引用 (2件)

特公平7-27198号公報
反射型フォトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-314292 出願人：三星電子株式会社, 株式会社日立製作所, 富士通株式会社

審査官引用 (5件)

反射型フォトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-314292 出願人：三星電子株式会社, 株式会社日立製作所, 富士通株式会社
軟X線多層膜反射鏡
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-100072 出願人：日本航空電子工業株式会社
特開平3-004199

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