極紫外線リソグラフィー用の自己浄化光学装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村興作
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-554754
公開番号（公開出願番号）：特表2004-517484
出願日： 2001年12月12日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

表面または“キャッピング”層を有するリソグラフィック分野特に極紫外線(EUV)リソグラフィー用多層反射光学装置またはミラーは、入射放射と、O2 、H2 及びH2 Oのような気体分子種と相俟って、多層反射光学装置の表面から炭素堆積物を断続的に浄化する。金属キャッピング層は、酸化抵抗性を示し、入射EUV放射の少なくとも90%を通過できることが求められる。金属キャッピング層の材料には、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Au及びこれらの組み合わせが含まれる。

請求項（抜粋）：

光学装置の表面上に堆積された金属と、入射放射と少なくとも1つの気体反応物とを有する自己浄化反射光学装置であって、前記金属が前記光学装置の表面を酸化から保護し、前記入射放射のほぼすべてが下側の前記光学装置の表面を透過するようになっている自己浄化反射光学装置。

IPC (6件)：

H01L21/027 , G02B5/08 , G02B5/26 , G02B5/28 , G21K5/00 , G21K5/02

FI (6件)：

H01L21/30 531A , G02B5/08 Z , G02B5/26 , G02B5/28 , G21K5/00 Z , G21K5/02 X

Fターム (12件)：

2H042DA01 , 2H042DA16 , 2H042DB00 , 2H042DE00 , 2H048FA05 , 2H048FA18 , 2H048FA24 , 2H048GA07 , 2H048GA18 , 2H048GA60 , 2H048GA65 , 5F046GB01

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭62-297800
反射型光学素子及びこれを用いた反射型光学系
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-267703 出願人：株式会社ニコン
X線多層膜反射鏡
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-143933 出願人：株式会社ニコン

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